微软雅黑, ‘Microsoft YaHei’; font-size: 16px; font-style: normal; font-variant-ligatures: normal; font-variant-caps: normal; font-weight: 400; letter-spacing: normal; orphans: 2; text-align: justify; text-indent: 2em; text-transform: none; widows: 2; word-spacing: 0px; -webkit-text-stroke-width: 0px; white-space: normal; background-color: #ffffff; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial; width: 100%; line-height: 30px;”>在去年的时候，美国就搞了一个禁令，针对中国半导体技术，进行精准打压，针对的主要有三项。

其逻辑芯片技术，要锁死在14nm，而NAND闪存技术，则锁死在128层；DRAM闪存技术，则锁死在18nm。

任何比这个设定值先进的半导体设备，均无法出口到中国来，从而达到打压效果。

其实当时，长江存储的NAND闪存，已经突破到了232层，成为全球首家实现232层堆叠技术的NAND厂商，比三星、美光、SK海力士还要领先。

而在被打压之后，长存的生产自然就受到了影响，据称自那之后，科磊、泛林的先进设备无法买到，甚至连技术人员都撤回了美国，产能也无法扩建，现有的先进产能也受到影响，因为后续的维护跟不上，一旦坏了，对方无法维修，更换备件之类的了。

不过，近日传出消息称，长江存储目前通过升级技术，推出Xtacking 4.0技术，可以帮助长江存储在当前的环境下，继续生产232层的NAND闪存芯片，甚至超过232层堆叠的芯片，来继续保持自己在市场中的地位。

按照媒体的报道称，Xtacking 4.0技术，将采用串堆叠与混合键合相结合的方式，可以将几个或多个128层的3D NAND芯片，再堆叠起来，实现4D堆叠，这样实现更高层的整体堆叠。

但由于每个层实际只有128层堆叠甚至比128层小，所以现有的设备，就可以继续使用，同时也不会被管制。因为根据美国、荷兰和日本政府实施的出口管制，只有128 层以上3D NAND芯片的设备才限制，而这个技术，是先将芯片堆成128层，再将128层的芯片再堆叠，就完美绕开了。

对于NAND芯片而言，堆叠的层数越多，存储密度就越高，那么单位存储容量下，成本就越低，这样在市场、价格竞争中就更有优势。

目前就看长江存储啥时候能够突破232层，继续推出更先进的存储芯片，与三星、美光、SK海力等竞争了。

当然，绕开管制继续生产芯片固然好，但最终还得看国产设备替代，如果国产设备能够替代上来，就没必要去想这些绕开管制的办法，直接用国产设备生产，那就什么都不用担心了。

       原文标题 : 绕开美国封锁，长江存储开发下一代闪存技术，超过232层

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